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重庆市对未来发展的布局引发高度关注 重庆市对未来发展的布局引发高度关注

安意法半导体碳化硅晶圆厂正式投产,重庆迈入功率半导体新时代撰文丨高语阳2月27日,一个具有里程碑意义的日子,安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线,这一重大进展标志着国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线的诞生,身处科技前沿的重庆,再次以强有力的步伐迈向功率半导体的新纪元,此项目的成功落地并非偶然,前一天,重庆市委书记袁家军、市长胡...。

互联网资讯 2025-03-01 11:58:12

0.03V 电压再降 技术升级 0.03V 电压再降 技术升级

SK海力士新一代LPDDR内存技术LPDDR5M突破性能极限,能效表现惊艳业界感谢IT之家网友华南吴彦祖的线索投递,带来了关于存储行业一大进步的消息,随着科技飞速的发展,内存的进化日新月异,最近,SK海力士在海外社交媒体平台上对其新一代LPDDR内存——LPDDR5M进行了预热宣传,引发业界关注,这一创新技术带来了内存能效的巨大突破,...。

互联网资讯 2025-02-27 17:40:58

首座晶圆厂建设正式开启 SK海力士积极布局龙仁半导体集群 首座晶圆厂建设正式开启 SK海力士积极布局龙仁半导体集群

SK海力士龙仁半导体集群晶圆厂动工,投资超万亿打造新一代生产基地IT之家消息,当地时间本月早些时候传出重要进展消息,全球知名的半导体制造巨头SK海力士在京畿道龙仁市的半导体集群晶圆厂正式破土动工,这一里程碑事件标志着韩国半导体产业的新一轮重大投资和发展,随着韩国京畿道龙仁市政府本月末的批准放行,该项目进一步进入加速实施阶段,按计划,该...。

互联网资讯 2025-02-27 17:27:31

消息人士透露 SK海力士HBM4测试良率稳步提升 消息人士透露 SK海力士HBM4测试良率稳步提升

SK海力士第六代HBM4内存技术取得重要突破,良率提升至70%——助力企业在市场角逐中抢占先机IT之家报道,近日,韩国科技巨头SK海力士的第六代高带宽内存技术——12层堆叠高带宽内存,HBM4,迎来重要突破,据韩媒ETNews报道,SK海力士的HBM4测试良率已经达到惊人的70%,预示着即将来临的量产阶段具备了坚实的基础,此消息一经发...。

互联网资讯 2025-02-27 10:34:09

为新一代的半导体存储器揭开序幕 为新一代的半导体存储器揭开序幕

SK海力士第6代高带宽内存,HBM4,测试良率达70%,技术实力提升与市场竞争优势显著增强据韩国媒体ETNews报道,SK海力士在其第6代高带宽内存,HBM4,的研发上取得了重大突破,该公司宣称其HBM4的堆叠技术已经实现了高达12层的堆叠,并且测试的良率已经达到了惊人的70%,为即将到来的量产阶段奠定了坚实的基础,此进展不仅表明了S...。

最新资讯 2025-02-27 09:49:59

收购交易最新进展曝光 收购交易最新进展曝光

SK海力士收购Solidigm,聚焦企业存储市场以强化竞争优势IT之家报道,韩媒SEDaily最新消息透露,SK海力士将于2025年3月完成收购Solidigm的最终交割,此交易源自两家公司于2020年10月达成的协议,SK海力士以总计90亿美元的价格从英特尔手中收购其NAND闪存及存储业务,这一收购计划分为两个阶段进行,第一阶段已在...。

互联网资讯 2025-02-24 21:15:29

两大存储巨头调整生产计划 两大存储巨头调整生产计划

IT之家报道,三星电子与SK海力士采取自然减产措施应对NAND闪存供应过剩XXXX年XX月XX日,IT之家消息,据外媒ETnews今日报道,面对全球半导体市场的变化,两大闪存生产巨头三星电子与SK海力士已经开始减少NAND闪存的产量,这一行动是基于供应过剩的考虑,两大公司通过工艺转换来实现自然减产,旨在调整市场供需结构并应对激烈的市场...。

互联网资讯 2025-02-11 15:38:02

共同推动人工智能发展 英伟达与三星联手 共同推动人工智能发展 英伟达与三星联手

三星电子获批向英伟达供应高带宽存储芯片,但仍面临技术挑战落后于竞争对手XXXX年XX月XX日,据IT之家与彭博社报道,三星电子公司已经获得批准,开始向英伟达供应其高带宽存储芯片,这一消息在科技行业内引起了广泛关注,标志着三星在半导体领域迈出了一步,尽管三星在这一领域取得了进展,但其在高带宽内存,HBM,技术方面仍然面临挑战,落后于竞争...。

互联网资讯 2025-02-01 08:18:22