——标志着极速补能的 1700V 超高压技术落地中国，实现快速补能成为可能。

文章编号：15043 更新时间：2024-10-18 阅读次数：次

资讯内容

一汽红旗成功研发首款1700V超高压碳化硅功率器件，解决充电焦虑，推动汽车新能源技术革新

IT之家10月17日消息，一汽红旗研发总院新能源开发院功率电子开发部传来喜讯，他们主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器件样件成功问世。
这一技术的突破有望为新能源汽车领域带来革命性的改变，解决用户在驾乘过程中面临的充电焦虑和里程焦虑问题。
这一重要成果对于未来适应千伏以上高压架构落地，实现5分钟快速补能奠定了坚实的基础。

一、技术背景与核心特点

随着新能源汽车市场的快速发展，消费者对车辆性能的要求日益提高。
充电时间和行驶里程成为消费者选择新能源汽车的重要考量因素。
一汽红旗此次研发的首款1700V超高压碳化硅功率器件，就是为了解决这一问题而诞生的。

该器件搭载国产1700V车规级超高压碳化硅芯片，采用高介电强度封装材料和高耐压封装结构等技术，具有超高的电压承受能力和出色的性能表现。
经过严格测试，该器件工作的最高母线电压可达1200V，为新能源汽车的快速充电和长里程行驶提供了强有力的技术支持。

二、技术细节与创新突破

1. 碳化硅芯片的应用：一汽红旗成功应用国产1700V车规级超高压碳化硅芯片，这一材料相比传统的硅芯片，具有更高的禁带宽度、更高的击穿电场强度、更高的热导率等优点，显著提高了器件的耐高温、耐高压性能。
2. 高介电强度封装材料的使用：采用高介电强度封装材料，有效提高了器件的绝缘性能和可靠性，进一步保障了器件在超高电压下的稳定运行。
3. 高耐压封装结构的设计：一汽红旗在封装结构上进行了创新设计，实现了高耐压性能，增强了器件的整体可靠性。

三、技术优势与影响

一汽红旗研发的首款1700V超高压碳化硅功率器件，具有多项技术优势。
它能够帮助补能系统向超高压平台升级，大大缩短新能源汽车的充电时间。
通过结合高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联和高耐温银烧结工艺等技术，该碳化硅功率器件能够在超高压平台下发挥低损耗与高电流输出综合性能优势。
这不仅提升了动力系统的功率密度和效率，还能够节约整车电耗，增加车辆的行驶里程。

这一技术的突破将对新能源汽车领域产生深远影响。
它将有效解决用户的充电焦虑和里程焦虑问题，提升用户体验。
它有助于推动新能源汽车行业的技术革新和产业升级，提高我国在全球新能源汽车领域的竞争力。
随着该技术的商业化应用，还将带动相关产业链的发展，创造更多的就业机会和经济效益。