IT之家消息报道，当地时间九月二十六日，全球知名的半导体制造商SK海力士宣布了一项重大技术突破：公司正式成为全球首个开始量产12层HBM3E芯片的厂商。这一里程碑式的进展不仅实现了现有HBM产品中最大的36GB容量，同时也意味着公司将以此为契机，年内向全球客户提供这一领先市场的产品。消息一经发布，SK海力士的股价在韩国市场立即涨超8%，市值飙升到超过惊人的120.34万亿韩元，约合人民币6351.55亿元。标志着SK海力士在半导体行业的领导地位愈发稳固。

关于此次技术的详细解读，SK海力士此次推出的12层HBM3E芯片，通过堆叠技术实现了巨大的容量提升。
据了解，公司成功堆叠了高达12颗单独的3GB DRAM芯片，创造了行业的新纪录。
这一突破性的设计并未增加产品体积，仍然保持了与现有8层产品相同的厚度，同时实现了容量提升高达50%，这对于未来的计算和存储需求具有极其重要的意义。
如何做到这一点呢？答案是采用先进的硅通孔技术（TSV）垂直堆叠。
SK海力士将这项技术运用得炉火纯青，使单个DRAM芯片得以缩减至原先的40%，大大提升了芯片的整体性能与集成度。

核心技术的突破不仅是数量上的飞跃，更体现在质量上的显著提升。
此次新产品所运用的核心先进MR-MUF工艺让产品的散热性能相较于上一代提高了高达百分之十的增幅。
对于芯片稳定性和可靠性至关重要的翘曲问题也得到了显著改善和优化。
这无疑让SK海力士的HBM产品在面向AI应用时更为出色。
由于AI系统对于存储器的速度、容量和稳定性要求极高，因此SK海力士此次推出的产品无疑能够满足当前和未来一段时间内的市场需求。
值得一提的是，此次推出的产品在运行速度上也达到了惊人的水平。
据悉，此次的12层HBM3E芯片的运行速度高达每秒9.6Gbps，这是一个前所未有的速度突破。
更令人惊叹的是，搭载有四个这种高性能HBM的GPU在运行时已经能够轻松应对大型语言模型如‘Llama370B’，每秒可以读取高达七百亿个整体参数的水平，这足以证明其在行业中的领先地位。

对于此次技术的推出和市场反应，行业专家给予了高度评价。
许多分析师认为，SK海力士的这一技术突破不仅提升了自身的市场竞争力，更对整个半导体行业产生了深远的影响。
这一创新将极大地推动人工智能、云计算和大数据等行业的快速发展，为全球范围内的技术进步提供强大的动力。
随着这一技术的普及和应用，预计将对全球半导体市场格局产生深远影响，并带动整个产业链的发展。
专家预测未来可能会有更多的半导体制造商将跟进SK海力士的脚步，加速在先进存储技术领域的布局和研发。
同时他们也期待未来会有更多的创新技术出现以满足日益增长的市场需求。

SK海力士此次推出的全球首款量产的12层HBM3E芯片无疑是一个重大的技术突破和里程碑事件。
它不仅展示了SK海力士在半导体领域的强大实力和创新能力也反映了全球半导体行业的快速发展趋势和巨大潜力。
随着这一技术的普及和应用未来的计算和存储技术将更为先进市场也将迎来更为广阔的发展空间。
同时我们也期待未来能有更多的创新技术和产品出现推动整个行业的持续发展和进步。

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